1064nm 10nm带通滤光片

BP1064-10-D50

带通滤光片

中心波长1064nm

带宽10nm

波长偏差2nm

大于OD4

截止范围400-1100nm；200-1100nm

裸片厚度＜4mm

D50X6mm（带金属环）；其他尺寸也有大量库存

典型参考光谱曲线

1064nm 10nm带通滤光片

蒸发沉积在蒸发沉积时，真空室中的源材料受到加热或电子束轰击而蒸发。蒸气冷凝在光学表面上。在蒸发期间，通过**控制加热，真空压力，基板定位和旋转可以制造出具有特定厚度的均匀光学镀膜。 蒸发具有相对温和的性质，会使镀膜变得松散或多孔。 这种松散的镀膜具有吸水性，改变了膜层的有效折射率，将导致性能降低。通过离子束辅助沉积技术可以增强蒸发镀膜，在该过程中，离子束会对准基片表面。这增加了源材料相对光学表面的粘附性，产生更多应力，使得镀膜更致密，更耐久。离子束溅射（IBS）在离子束溅射（IBS）时，高能电场可以加速离子束。 这种加速度使得离子具有显着的动能。在与源材料撞击时，离子束会将靶材的原子溅射出来。 这些被溅射出来的靶材离子（原子受电离区影响变为离子）也具有动能，会在与光学表面接触时产生致密的膜。 IBS是一种**的，重复性强的技术。等离子体溅射等离子体溅射是一系列技术的总称，例如**等离子体溅射和磁控管溅射。不管是哪种技术，都包括等离子体的产生。等离子体中的离子经加速射入源材料中，撞击松散的能量源离子，然后溅射到目标光学元件上。 虽然不同类型的等离子体溅射具有其独特的性质和优缺点，不过我们可以将这些技术集合在一起，因为它们具有共同的工作原理，它们之间的差异，相比这种镀膜技术与本文中涉及的其他镀膜技术之间的差异小得多。原子层沉积与蒸发沉积不同，用于原子层沉积（ALD）的源材料不需要从固体中蒸发出来，而是直接以气体的形式存在。 尽管该技术使用的是气体，真空室中仍然需要很高的温度。 在ALD过程中，气相前驱体通过非重叠式的脉冲进行传递，且脉冲具有自限制性。 这种工艺拥有独特的化学性设计，每个脉冲只粘附一层，并且对光学件表面的几何形状没有特殊要求。 因此这种工艺使得我们可以高度的对镀层厚度和设计进行控制，但是会降低沉积的速率。镀膜工艺不同的镀膜沉积技术，具有各自的优缺点。瑞研光学可以采用不同的镀膜沉积技术为您服务。 请联系瑞研光学，告诉我们哪种镀膜技术最适合您的应用。

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